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| 数据手册 | IXYH100N65C3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXYH100N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 200 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：54,442
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥49.8167
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥49.8167 | ￥49.8167 |
| 10+ | ￥44.9867 | ￥449.8670 |
| 25+ | ￥42.8801 | ￥1,072.0025 |
| 50+ | ￥41.9458 | ￥2,097.2900 |
| 100+ | ￥35.5645 | ￥3,556.4500 |
| 250+ | ￥33.4579 | ￥8,364.4750 |
| 500+ | ￥31.4131 | ￥15,706.5500 |
| 1,000+ | ￥28.2577 | ￥28,257.7000 |
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