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| 数据手册 | IXXH80N65B4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXXH80N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247AD-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 625 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 160 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：55,025
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥38.0412
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥38.0412 | ￥38.0412 |
| 10+ | ￥34.3305 | ￥343.3050 |
| 25+ | ￥32.7176 | ￥817.9400 |
| 50+ | ￥31.9684 | ￥1,598.4200 |
| 100+ | ￥27.1383 | ￥2,713.8300 |
| 250+ | ￥25.5253 | ￥6,381.3250 |
| 500+ | ￥23.9829 | ￥11,991.4500 |
| 1,000+ | ￥21.5590 | ￥21,559.0000 |
| 2,500+ | ￥20.7570 | ￥51,892.5000 |
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