RGT8NS65DGTL
IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench
- 制造商：
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | RGT8NS65DGTL 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | RGT8NS65D |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 技术 | SI |
| Pd-功率耗散 | 65 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 8 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：59,533
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.2539
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.2539 | ￥7.2539 |
| 10+ | ￥6.1786 | ￥61.7860 |
| 100+ | ￥4.7419 | ￥474.1900 |
| 500+ | ￥4.1955 | ￥2,097.7500 |
| 1,000+ | ￥3.3053 | ￥3,305.3000 |
| 2,000+ | ￥2.9351 | ￥5,870.2000 |
| 10,000+ | ￥2.8293 | ￥28,293.0000 |
| 25,000+ | ￥2.7412 | ￥68,530.0000 |
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