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| 数据手册 | IXXX160N65B4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXXX160N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS 247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 940 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.54 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 310 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：51,024
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥81.0447
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥81.0447 | ￥81.0447 |
| 10+ | ￥74.4783 | ￥744.7830 |
| 25+ | ￥71.3846 | ￥1,784.6150 |
| 50+ | ￥69.0841 | ￥3,454.2050 |
| 100+ | ￥61.7156 | ￥6,171.5600 |
| 250+ | ￥59.7942 | ￥14,948.5500 |
| 500+ | ￥55.9513 | ￥27,975.6500 |
| 1,000+ | ￥51.3063 | ￥51,306.3000 |
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