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| 数据手册 | IXXX110N65B4H1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXXX110N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | PLUS 247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 880 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.75 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 240 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：59,409
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥65.4351
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥65.4351 | ￥65.4351 |
| 10+ | ￥60.1027 | ￥601.0270 |
| 25+ | ￥57.6259 | ￥1,440.6475 |
| 50+ | ￥55.7662 | ￥2,788.3100 |
| 100+ | ￥49.8167 | ￥4,981.6700 |
| 250+ | ￥48.2655 | ￥12,066.3750 |
| 500+ | ￥45.1718 | ￥22,585.9000 |
| 1,000+ | ￥41.3905 | ￥41,390.5000 |
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