STGWT80H65DFB
IGBT 晶体管 Trench gate H series 650V 80A HiSpd
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STGWT80H65DFB 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | STGWT80H65DFB |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3P |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 469 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 120 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：56,722
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥42.8801
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥42.8801 | ￥42.8801 |
| 10+ | ￥36.9307 | ￥369.3070 |
| 100+ | ￥30.6110 | ￥3,061.1000 |
| 250+ | ￥28.8130 | ￥7,203.2500 |
| 500+ | ￥27.0149 | ￥13,507.4500 |
| 1,000+ | ￥24.2914 | ￥24,291.4000 |
| 2,500+ | ￥23.4188 | ￥58,547.0000 |
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