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| 数据手册 | IXGH50N90B2D1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXGH50N90 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247AD-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 900 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 75 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：59,462
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥55.8896
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥55.8896 | ￥55.8896 |
| 10+ | ￥50.3103 | ￥503.1030 |
| 25+ | ￥45.1101 | ￥1,127.7525 |
| 50+ | ￥41.1438 | ￥2,057.1900 |
| 100+ | ￥40.7119 | ￥4,071.1900 |
| 250+ | ￥34.0837 | ￥8,520.9250 |
| 500+ | ￥31.9684 | ￥15,984.2000 |
| 1,000+ | ￥28.7513 | ￥28,751.3000 |
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