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| 数据手册 | IXXH110N65C4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXXH110N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247AD-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 880 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.98 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 234 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：54,421
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥45.7270
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥45.7270 | ￥45.7270 |
| 10+ | ￥41.2671 | ￥412.6710 |
| 25+ | ￥39.3457 | ￥983.6425 |
| 50+ | ￥38.4819 | ￥1,924.0950 |
| 100+ | ￥32.6559 | ￥3,265.5900 |
| 250+ | ￥30.7344 | ￥7,683.6000 |
| 500+ | ￥28.8130 | ￥14,406.5000 |
| 1,000+ | ￥25.9043 | ￥25,904.3000 |
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