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| 数据手册 | IXXH60N65B4H1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXXH60N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247AD-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 380 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 116 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：57,490
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥47.2166
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥47.2166 | ￥47.2166 |
| 10+ | ￥42.6333 | ￥426.3330 |
| 25+ | ￥40.6502 | ￥1,016.2550 |
| 50+ | ￥38.9755 | ￥1,948.7750 |
| 100+ | ￥38.4819 | ￥3,848.1900 |
| 250+ | ￥31.7216 | ￥7,930.4000 |
| 500+ | ￥29.7384 | ￥14,869.2000 |
| 1,000+ | ￥26.7681 | ￥26,768.1000 |
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