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    RGT40NS65DGTL

    IGBT 晶体管 650V 20A IGBT Stop Trench

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RGT40NS65DGTL 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    系列 RGT40NS65D
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-263-3
    技术 SI
    Pd-功率耗散 161 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.65 V
    在25 C的连续集电极电流 40 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:54,189

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥13.5736
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥13.5736 ¥13.5736
    10+ ¥11.5287 ¥115.2870
    100+ ¥9.2283 ¥922.8300
    500+ ¥8.1177 ¥4,058.8500
    1,000+ ¥6.6898 ¥6,689.8000
    2,000+ ¥6.2579 ¥12,515.8000
    5,000+ ¥5.9847 ¥29,923.5000
    10,000+ ¥5.7555 ¥57,555.0000

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