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| 数据手册 | IXXN110N65B4H1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXXN110N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 750 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 215 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：56,647
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥136.0705
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥136.0705 | ￥136.0705 |
| 5+ | ￥134.8895 | ￥674.4475 |
| 10+ | ￥125.4761 | ￥1,254.7610 |
| 25+ | ￥119.8351 | ￥2,995.8775 |
| 50+ | ￥118.2222 | ￥5,911.1100 |
| 100+ | ￥105.7680 | ￥10,576.8000 |
| 200+ | ￥98.7080 | ￥19,741.6000 |
| 500+ | ￥90.2201 | ￥45,110.0500 |
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