HGT1S10N120BNST
IGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | HGT1S10N120BNST 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
系列 | HGT1S10N120BNS |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-263AB-3 |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 298 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.7 V |
在25 C的连续集电极电流 | 35 A |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存:51,279
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥14.6224
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥14.6224 | ¥14.6224 |
10+ | ¥12.3925 | ¥123.9250 |
100+ | ¥9.6690 | ¥966.9000 |
250+ | ¥9.3605 | ¥2,340.1250 |
800+ | ¥6.9366 | ¥5,549.2800 |
2,400+ | ¥6.7515 | ¥16,203.6000 |
4,800+ | ¥6.3813 | ¥30,630.2400 |
9,600+ | ¥6.1962 | ¥59,483.5200 |
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