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    HGT1S10N120BNST

    IGBT 晶体管 N-Channel IGBT NPT Series 1200V

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    系列 HGT1S10N120BNS
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-263AB-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 298 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
    集电极—射极饱和电压 2.7 V
    在25 C的连续集电极电流 35 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:51,279

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥14.6224
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥14.6224 ¥14.6224
    10+ ¥12.3925 ¥123.9250
    100+ ¥9.6690 ¥966.9000
    250+ ¥9.3605 ¥2,340.1250
    800+ ¥6.9366 ¥5,549.2800
    2,400+ ¥6.7515 ¥16,203.6000
    4,800+ ¥6.3813 ¥30,630.2400
    9,600+ ¥6.1962 ¥59,483.5200

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