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    HGTG30N60B3

    IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 HGTG30N60B3 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 HGTG30N60B3
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 208 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
    集电极—射极饱和电压 1.45 V
    在25 C的连续集电极电流 60 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:51,544

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥35.3177
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥35.3177 ¥35.3177
    10+ ¥30.0557 ¥300.5570
    100+ ¥24.0446 ¥2,404.4600
    250+ ¥22.6784 ¥5,669.6000
    500+ ¥21.3123 ¥10,656.1500
    1,000+ ¥18.6504 ¥18,650.4000
    2,500+ ¥18.0334 ¥45,083.5000

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