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| 数据手册 | IXGN100N170 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXGN100N170 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227B-4 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 735 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.7 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 160 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：58,662
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥271.7709
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥271.7709 | ￥271.7709 |
| 10+ | ￥253.4906 | ￥2,534.9060 |
| 50+ | ￥239.8554 | ￥11,992.7700 |
| 100+ | ￥239.0533 | ￥23,905.3300 |
| 200+ | ￥204.9079 | ￥40,981.5800 |
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