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| 数据手册 | IXBN75N170A 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXBN75N170 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227B-4 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 625 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.7 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 4.95 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 75 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：52,499
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥356.2178
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥356.2178 | ￥356.2178 |
| 5+ | ￥348.7876 | ￥1,743.9380 |
| 10+ | ￥303.3074 | ￥3,033.0740 |
| 25+ | ￥295.8684 | ￥7,396.7100 |
| 50+ | ￥281.7395 | ￥14,086.9750 |
| 100+ | ￥280.1971 | ￥28,019.7100 |
| 200+ | ￥252.6798 | ￥50,535.9600 |
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