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| 数据手册 | IXDP20N60BD1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXDP20N60B |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 32 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：59,399
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥26.2128
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥26.2128 | ￥26.2128 |
| 10+ | ￥23.4188 | ￥234.1880 |
| 25+ | ￥21.5590 | ￥538.9750 |
| 50+ | ￥18.7121 | ￥935.6050 |
| 250+ | ￥16.9141 | ￥4,228.5250 |
| 500+ | ￥13.5119 | ￥6,755.9500 |
| 1,000+ | ￥12.6393 | ￥12,639.3000 |
| 2,500+ | ￥12.2691 | ￥30,672.7500 |
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