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| 数据手册 | IXYP8N90C3D1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXYP8N90 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 900 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.15 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 20 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：55,710
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥25.6487
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥25.6487 | ￥25.6487 |
| 10+ | ￥22.9252 | ￥229.2520 |
| 25+ | ￥20.6336 | ￥515.8400 |
| 50+ | ￥17.9100 | ￥895.5000 |
| 100+ | ￥17.4077 | ￥1,740.7700 |
| 250+ | ￥16.1120 | ￥4,028.0000 |
| 500+ | ￥13.4502 | ￥6,725.1000 |
| 1,000+ | ￥12.7627 | ￥12,762.7000 |
| 2,500+ | ￥11.8989 | ￥29,747.2500 |
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