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    RGTH00TS65GC11

    IGBT 晶体管 650V 50A IGBT Stop Trench

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RGTH00TS65GC11 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    系列 RGTH00TS65
    封装 Tube
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    技术 SI
    Pd-功率耗散 277 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.6 V
    在25 C的连续集电极电流 85 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:50,739

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥23.1720
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥23.1720 ¥23.1720
    10+ ¥19.7081 ¥197.0810
    100+ ¥17.0375 ¥1,703.7500
    250+ ¥16.1737 ¥4,043.4250
    500+ ¥14.5607 ¥7,280.3500
    1,000+ ¥12.2691 ¥12,269.1000
    2,500+ ¥11.6521 ¥29,130.2500
    5,000+ ¥11.2114 ¥56,057.0000

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