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| 数据手册 | IXYA50N65C3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXYA50N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-2 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 600 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 130 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：55,348
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥43.0652
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥43.0652 | ￥43.0652 |
| 10+ | ￥38.4819 | ￥384.8190 |
| 25+ | ￥35.3794 | ￥884.4850 |
| 50+ | ￥30.7961 | ￥1,539.8050 |
| 250+ | ￥28.5045 | ￥7,126.1250 |
| 500+ | ￥22.4316 | ￥11,215.8000 |
| 1,000+ | ￥20.9421 | ￥20,942.1000 |
| 2,500+ | ￥20.2017 | ￥50,504.2500 |
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