RGT8BM65DTL
IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench
- 制造商:
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | RGT8BM65DTL 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
系列 | RGT8BM65D |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-252-3 |
技术 | SI |
Pd-功率耗散 | 62 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
在25 C的连续集电极电流 | 8 A |
栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存:52,785
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥11.3348
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥11.3348 | ¥11.3348 |
10+ | ¥9.6073 | ¥96.0730 |
100+ | ¥7.6858 | ¥768.5800 |
500+ | ¥6.7515 | ¥3,375.7500 |
2,500+ | ¥5.1914 | ¥12,978.5000 |
5,000+ | ¥4.9975 | ¥24,987.5000 |
10,000+ | ¥4.8036 | ¥48,036.0000 |
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