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    RGT8BM65DTL

    IGBT 晶体管 650V 4A IGBT Stop Trench

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RGT8BM65DTL 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    系列 RGT8BM65D
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    技术 SI
    Pd-功率耗散 62 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.65 V
    在25 C的连续集电极电流 8 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:52,785

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥11.3348
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥11.3348 ¥11.3348
    10+ ¥9.6073 ¥96.0730
    100+ ¥7.6858 ¥768.5800
    500+ ¥6.7515 ¥3,375.7500
    2,500+ ¥5.1914 ¥12,978.5000
    5,000+ ¥4.9975 ¥24,987.5000
    10,000+ ¥4.8036 ¥48,036.0000

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