RGT60TS65DGC11
IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
- 制造商:
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | RGT60TS65DGC11 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
系列 | RGT60TS65D |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
技术 | SI |
Pd-功率耗散 | 194 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
在25 C的连续集电极电流 | 55 A |
栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存:57,745
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥18.4653
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥18.4653 | ¥18.4653 |
10+ | ¥15.7418 | ¥157.4180 |
100+ | ¥13.6353 | ¥1,363.5300 |
250+ | ¥12.9478 | ¥3,236.9500 |
500+ | ¥11.5904 | ¥5,795.2000 |
1,000+ | ¥9.7924 | ¥9,792.4000 |
2,500+ | ¥9.2988 | ¥23,247.0000 |
5,000+ | ¥8.9198 | ¥44,599.0000 |
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