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    IKD04N60RFATMA1

    IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IKD04N60RFATMA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    系列 RC
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-252-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 75 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
    集电极—射极饱和电压 2.2 V
    在25 C的连续集电极电流 8 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:54,414

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥7.3156
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥7.3156 ¥7.3156
    10+ ¥6.1962 ¥61.9620
    100+ ¥4.6185 ¥461.8500
    500+ ¥3.9575 ¥1,978.7500
    2,500+ ¥3.1202 ¥7,800.5000
    10,000+ ¥2.9527 ¥29,527.0000
    25,000+ ¥2.8646 ¥71,615.0000

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