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| 数据手册 | IXXK200N65B4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXXK200N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1150 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.4 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 370 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：55,576
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥106.0765
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥106.0765 | ￥106.0765 |
| 10+ | ￥97.4652 | ￥974.6520 |
| 25+ | ￥93.3755 | ￥2,334.3875 |
| 50+ | ￥90.4052 | ￥4,520.2600 |
| 100+ | ￥85.8219 | ￥8,582.1900 |
| 250+ | ￥78.2595 | ￥19,564.8750 |
| 500+ | ￥73.1738 | ￥36,586.9000 |
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