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| 数据手册 | IGP20N60H3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | HighSpeed 3 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.95 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 40 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：56,027
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥14.4373
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.4373 | ￥14.4373 |
| 10+ | ￥12.2074 | ￥122.0740 |
| 100+ | ￥9.5456 | ￥954.5600 |
| 500+ | ￥8.0560 | ￥4,028.0000 |
| 1,000+ | ￥6.8132 | ￥6,813.2000 |
| 2,500+ | ￥6.6281 | ￥16,570.2500 |
| 10,000+ | ￥6.4430 | ￥64,430.0000 |
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