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| 数据手册 | IXYB82N120C3H1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXYB82N120 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1040 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.75 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 164 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：50,313
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥127.5827
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥127.5827 | ￥127.5827 |
| 5+ | ￥126.4633 | ￥632.3165 |
| 10+ | ￥117.6669 | ￥1,176.6690 |
| 25+ | ￥112.3961 | ￥2,809.9025 |
| 50+ | ￥109.6726 | ￥5,483.6300 |
| 100+ | ￥104.4106 | ￥10,441.0600 |
| 250+ | ￥95.8523 | ￥23,963.0750 |
| 500+ | ￥91.2073 | ￥45,603.6500 |
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