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| 数据手册 | IXXR110N65B4H1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXXR110N65 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | ISOPLUS 247-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 455 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.75 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 150 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：59,612
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥77.3869
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥77.3869 | ￥77.3869 |
| 10+ | ￥70.3886 | ￥703.8860 |
| 25+ | ￥65.0649 | ￥1,626.6225 |
| 50+ | ￥61.3454 | ￥3,067.2700 |
| 100+ | ￥59.7942 | ￥5,979.4200 |
| 250+ | ￥54.5234 | ￥13,630.8500 |
| 500+ | ￥50.9978 | ￥25,498.9000 |
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