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    RGW80TK65DGVC11

    IGBT 晶体管 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RGW80TK65DGVC11 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-3PFM
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 81 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.5 V
    在25 C的连续集电极电流 39 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:52,760

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥35.5645
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥35.5645 ¥35.5645
    10+ ¥30.2408 ¥302.4080
    100+ ¥26.2128 ¥2,621.2800
    250+ ¥24.8467 ¥6,211.6750
    500+ ¥22.3082 ¥11,154.1000
    1,000+ ¥18.7738 ¥18,773.8000
    2,500+ ¥17.8484 ¥44,621.0000

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