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    RGW80TK65GVC11

    IGBT 晶体管 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RGW80TK65GVC11 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-3PFM
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 81 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.5 V
    在25 C的连续集电极电流 39 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:52,785

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥31.1663
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥31.1663 ¥31.1663
    10+ ¥26.4596 ¥264.5960
    100+ ¥22.9252 ¥2,292.5200
    250+ ¥21.7530 ¥5,438.2500
    500+ ¥19.5142 ¥9,757.1000
    1,000+ ¥16.4822 ¥16,482.2000
    2,500+ ¥15.6184 ¥39,046.0000

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