RGT00TS65DGC11
IGBT 晶体管 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N
- 制造商:
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | RGT00TS65DGC11 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-247N-3 |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 277 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
在25 C的连续集电极电流 | 85 A |
栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存:59,265
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥28.2577
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥28.2577 | ¥28.2577 |
10+ | ¥23.9829 | ¥239.8290 |
100+ | ¥20.8187 | ¥2,081.8700 |
250+ | ¥19.7698 | ¥4,942.4500 |
500+ | ¥17.7250 | ¥8,862.5000 |
1,000+ | ¥14.9309 | ¥14,930.9000 |
2,500+ | ¥14.1905 | ¥35,476.2500 |
5,000+ | ¥13.6970 | ¥68,485.0000 |
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