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    RGT00TS65DGC11

    IGBT 晶体管 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RGT00TS65DGC11 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247N-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 277 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.65 V
    在25 C的连续集电极电流 85 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:59,265

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥28.2577
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥28.2577 ¥28.2577
    10+ ¥23.9829 ¥239.8290
    100+ ¥20.8187 ¥2,081.8700
    250+ ¥19.7698 ¥4,942.4500
    500+ ¥17.7250 ¥8,862.5000
    1,000+ ¥14.9309 ¥14,930.9000
    2,500+ ¥14.1905 ¥35,476.2500
    5,000+ ¥13.6970 ¥68,485.0000

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