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| 数据手册 | IXGA30N120B3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 系列 | IXGA30N120 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.96 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 60 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：52,829
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥37.7944
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥37.7944 | ￥37.7944 |
| 25+ | ￥33.6430 | ￥841.0750 |
| 50+ | ￥32.0389 | ￥1,601.9450 |
| 100+ | ￥30.7344 | ￥3,073.4400 |
| 250+ | ￥28.5045 | ￥7,126.1250 |
| 500+ | ￥22.4933 | ￥11,246.6500 |
| 1,000+ | ￥19.5142 | ￥19,514.2000 |
| 2,500+ | ￥19.2057 | ￥48,014.2500 |
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