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| 数据手册 | IXYH82N120C3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | IXYH82N120 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247AD-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1040 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.75 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 160 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：54,593
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥83.2747
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥83.2747 | ￥83.2747 |
| 10+ | ￥76.5231 | ￥765.2310 |
| 25+ | ￥73.2972 | ￥1,832.4300 |
| 50+ | ￥70.5120 | ￥3,525.6000 |
| 100+ | ￥63.4520 | ￥6,345.2000 |
| 250+ | ￥61.0986 | ￥15,274.6500 |
| 500+ | ￥57.4408 | ￥28,720.4000 |
| 1,000+ | ￥52.7342 | ￥52,734.2000 |
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