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    HGTD1N120BNS9A

    IGBT 晶体管 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 HGTD1N120BNS9A 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    系列 HGTD1N120BNS
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-252AA-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 60 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
    集电极—射极饱和电压 2.5 V
    在25 C的连续集电极电流 5.3 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:52,151

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥9.1666
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥9.1666 ¥9.1666
    10+ ¥7.7475 ¥77.4750
    100+ ¥5.8437 ¥584.3700
    250+ ¥5.6674 ¥1,416.8500
    500+ ¥4.9535 ¥2,476.7500
    1,000+ ¥4.0368 ¥4,036.8000
    2,500+ ¥3.9751 ¥9,937.7500

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