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    RGW00TK65DGVC11

    IGBT 晶体管 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RGW00TK65DGVC11 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-3PFM
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 89 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.5 V
    在25 C的连续集电极电流 45 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:50,779

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥39.3457
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥39.3457 ¥39.3457
    10+ ¥33.4579 ¥334.5790
    100+ ¥28.9981 ¥2,899.8100
    250+ ¥27.5085 ¥6,877.1250
    500+ ¥24.6616 ¥12,330.8000
    1,000+ ¥20.8187 ¥20,818.7000
    2,500+ ¥19.7698 ¥49,424.5000

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