RGTH80TK65DGC11
IGBT 晶体管 IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
- 制造商：
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | RGTH80TK65DGC11 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PFM |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 66 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 31 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：54,219
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥34.4539
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥34.4539 | ￥34.4539 |
| 10+ | ￥29.2449 | ￥292.4490 |
| 100+ | ￥25.3403 | ￥2,534.0300 |
| 250+ | ￥24.0446 | ￥6,011.1500 |
| 500+ | ￥21.5590 | ￥10,779.5000 |
| 1,000+ | ￥18.2185 | ￥18,218.5000 |
| 2,500+ | ￥17.2843 | ￥43,210.7500 |
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