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    RGTH00TK65GC11

    IGBT 晶体管 IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RGTH00TK65GC11 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-3PFM
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 72 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.6 V
    在25 C的连续集电极电流 35 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:58,581

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥33.1495
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥33.1495 ¥33.1495
    10+ ¥28.1343 ¥281.3430
    100+ ¥24.4148 ¥2,441.4800
    250+ ¥23.1720 ¥5,793.0000
    500+ ¥20.7570 ¥10,378.5000
    1,000+ ¥17.5310 ¥17,531.0000
    2,500+ ¥16.6056 ¥41,514.0000

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