RGTH80TK65GC11
IGBT 晶体管 IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
- 制造商：
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | RGTH80TK65GC11 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-3PFM |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 66 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 31 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：52,353
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥30.7961
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥30.7961 | ￥30.7961 |
| 10+ | ￥26.2128 | ￥262.1280 |
| 100+ | ￥22.6784 | ￥2,267.8400 |
| 250+ | ￥21.5590 | ￥5,389.7500 |
| 500+ | ￥19.3291 | ￥9,664.5500 |
| 1,000+ | ￥16.2971 | ￥16,297.1000 |
| 2,500+ | ￥15.4950 | ￥38,737.5000 |
| 5,000+ | ￥14.8692 | ￥74,346.0000 |
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