RGTH50TK65DGC11
IGBT 晶体管 IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
- 制造商:
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | RGTH50TK65DGC11 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-3PFM |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 59 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
在25 C的连续集电极电流 | 26 A |
栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存:58,070
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥30.4876
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥30.4876 | ¥30.4876 |
10+ | ¥25.9043 | ¥259.0430 |
100+ | ¥22.4933 | ¥2,249.3300 |
250+ | ¥21.3123 | ¥5,328.0750 |
500+ | ¥19.1440 | ¥9,572.0000 |
1,000+ | ¥16.1120 | ¥16,112.0000 |
2,500+ | ¥15.3011 | ¥38,252.7500 |
5,000+ | ¥14.7458 | ¥73,729.0000 |
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