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    RGTH50TK65DGC11

    IGBT 晶体管 IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RGTH50TK65DGC11 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-3PFM
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 59 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.6 V
    在25 C的连续集电极电流 26 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:58,070

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥30.4876
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥30.4876 ¥30.4876
    10+ ¥25.9043 ¥259.0430
    100+ ¥22.4933 ¥2,249.3300
    250+ ¥21.3123 ¥5,328.0750
    500+ ¥19.1440 ¥9,572.0000
    1,000+ ¥16.1120 ¥16,112.0000
    2,500+ ¥15.3011 ¥38,252.7500
    5,000+ ¥14.7458 ¥73,729.0000

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