RGCL80TK60DGC11
IGBT 晶体管 IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
- 制造商:
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | RGCL80TK60DGC11 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-3PFM |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 57 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.4 V |
在25 C的连续集电极电流 | 35 A |
栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存:50,108
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥29.1832
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥29.1832 | ¥29.1832 |
10+ | ¥24.7850 | ¥247.8500 |
100+ | ¥21.4973 | ¥2,149.7300 |
250+ | ¥20.3868 | ¥5,096.7000 |
500+ | ¥18.2802 | ¥9,140.1000 |
1,000+ | ¥15.4245 | ¥15,424.5000 |
2,500+ | ¥14.6224 | ¥36,556.0000 |
5,000+ | ¥14.1288 | ¥70,644.0000 |
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