RGT50NS65DGC9
IGBT 晶体管 IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
- 制造商：
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | RGT50NS65DGC9 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-262-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 194 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 48 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存：57,936
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥19.2057
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.2057 | ￥19.2057 |
| 10+ | ￥16.2971 | ￥162.9710 |
| 100+ | ￥14.1288 | ￥1,412.8800 |
| 250+ | ￥13.4502 | ￥3,362.5500 |
| 500+ | ￥12.0223 | ￥6,011.1500 |
| 1,000+ | ￥10.1625 | ￥10,162.5000 |
| 2,500+ | ￥9.6690 | ￥24,172.5000 |
| 5,000+ | ￥9.2988 | ￥46,494.0000 |
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