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| 数据手册 | IKB30N65ES5ATMA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 188 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.35 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 62 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：57,501
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥23.4805
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥23.4805 | ￥23.4805 |
| 10+ | ￥19.9549 | ￥199.5490 |
| 100+ | ￥15.9269 | ￥1,592.6900 |
| 500+ | ￥13.5736 | ￥6,786.8000 |
| 1,000+ | ￥12.1457 | ￥12,145.7000 |
| 2,000+ | ￥11.7755 | ￥23,551.0000 |
| 5,000+ | ￥11.4053 | ￥57,026.5000 |
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