RGC80TSX8RGC11
IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCTING IGBT
- 制造商:
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | RGC80TSX8RGC11 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 535 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.8 kV |
集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
在25 C的连续集电极电流 | 80 A |
栅极/发射极最大电压 | 30 V |
库存:55,701
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥48.0187
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
1+ | ¥48.0187 | ¥48.0187 |
10+ | ¥43.3737 | ¥433.7370 |
25+ | ¥41.3905 | ¥1,034.7625 |
100+ | ¥35.9347 | ¥3,593.4700 |
250+ | ¥34.3305 | ¥8,582.6250 |
500+ | ¥31.2897 | ¥15,644.8500 |
1,000+ | ¥27.2000 | ¥27,200.0000 |
2,500+ | ¥26.2128 | ¥65,532.0000 |
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