FGH60T65SQD-F155
IGBT 晶体管 650V 60A FS4 TRENCH
- 制造商:
- ON Semiconductor
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | FGH60T65SQD-F155 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 175 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
技术 | SI |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 333 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
在25 C的连续集电极电流 | 120 A |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存:54,795
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥26.0894
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥26.0894 | ¥26.0894 |
10+ | ¥22.1848 | ¥221.8480 |
100+ | ¥17.7250 | ¥1,772.5000 |
250+ | ¥16.7290 | ¥4,182.2500 |
500+ | ¥15.7418 | ¥7,870.9000 |
1,000+ | ¥13.7587 | ¥13,758.7000 |
2,500+ | ¥13.2563 | ¥33,140.7500 |
5,000+ | ¥12.7010 | ¥63,505.0000 |
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