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    FGH60T65SQD-F155

    IGBT 晶体管 650V 60A FS4 TRENCH

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 FGH60T65SQD-F155 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 333 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.6 V
    在25 C的连续集电极电流 120 A
    栅极/发射极最大电压 20 V

    库存:54,795

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥26.0894
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥26.0894 ¥26.0894
    10+ ¥22.1848 ¥221.8480
    100+ ¥17.7250 ¥1,772.5000
    250+ ¥16.7290 ¥4,182.2500
    500+ ¥15.7418 ¥7,870.9000
    1,000+ ¥13.7587 ¥13,758.7000
    2,500+ ¥13.2563 ¥33,140.7500
    5,000+ ¥12.7010 ¥63,505.0000

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