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    RGW80TS65GC11

    IGBT 晶体管 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    IGBT 晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 RGW80TS65GC11 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 IGBT 晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 175 C
    封装 / 箱体 TO-247N-3
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 214 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 650 V
    集电极—射极饱和电压 1.5 V
    在25 C的连续集电极电流 78 A
    栅极/发射极最大电压 30 V

    库存:53,439

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥26.5213
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥26.5213 ¥26.5213
    10+ ¥23.7978 ¥237.9780
    100+ ¥17.9717 ¥1,797.1700
    250+ ¥16.9758 ¥4,243.9500
    500+ ¥15.9886 ¥7,994.3000
    1,000+ ¥13.9437 ¥13,943.7000
    2,500+ ¥13.3180 ¥33,295.0000
    5,000+ ¥12.8244 ¥64,122.0000

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