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| 数据手册 | APTGTQ200A65T3G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | SP3F |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 483 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 200 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 480 nA |
库存：58,783
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 100
- 参考单价：
- ￥566.8900
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 100+ | ￥566.8900 | ￥56,689.0000 |
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