图像仅供参考 请参阅产品规格
文档与媒体
| 数据手册 | FD800R33KF2C-K 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | IHV190 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 3300 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 1300 A |
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| 产品属性 | 属性值 |
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| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | IHV190 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 3300 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 1300 A |
