图像仅供参考 请参阅产品规格
文档与媒体
| 数据手册 | FD800R33KF2C 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | IHM190 |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 9.6 kW |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 3300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 3.4 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 1300 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：57,103
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥12,895.7458
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12,895.7458 | ￥12,895.7458 |
| 5+ | ￥12,692.6888 | ￥63,463.4440 |
申请更低价? 请联系客服
