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| 数据手册 | IXGK50N120C3H1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-264-3 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.6 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 95 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：58,329
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥130.1828
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥130.1828 | ￥130.1828 |
| 10+ | ￥117.1116 | ￥1,171.1160 |
| 25+ | ￥106.7023 | ￥2,667.5575 |
| 50+ | ￥101.6166 | ￥5,080.8300 |
| 100+ | ￥96.2930 | ￥9,629.3000 |
| 250+ | ￥88.4837 | ￥22,120.9250 |
| 500+ | ￥80.6745 | ￥40,337.2500 |
| 1,000+ | ￥70.2652 | ￥70,265.2000 |
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