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数据手册 | MG12100S-BN2MM 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 模块 |
产品 | IGBT Silicon Modules |
封装 | Bulk |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 125 C |
封装 / 箱体 | Package S |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散 | 450 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
在25 C的连续集电极电流 | 140 A |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存:54,793
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥457.4642
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥457.4642 | ¥457.4642 |
5+ | ¥443.6527 | ¥2,218.2635 |
10+ | ¥429.7089 | ¥4,297.0890 |
25+ | ¥410.3181 | ¥10,257.9525 |
50+ | ¥396.4361 | ¥19,821.8050 |
100+ | ¥396.1893 | ¥39,618.9300 |
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