文档与媒体
| 数据手册 | BSM50GAL120DN2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Half Bridge GAL 1 |
| 配置 | Half Bridge |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 78 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：53,692
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥433.3668
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥433.3668 | ￥433.3668 |
| 5+ | ￥417.1931 | ￥2,085.9655 |
| 10+ | ￥409.1988 | ￥4,091.9880 |
| 20+ | ￥398.3575 | ￥7,967.1500 |
| 50+ | ￥387.2695 | ￥19,363.4750 |
| 100+ | ￥352.5071 | ￥35,250.7100 |
| 200+ | ￥341.9127 | ￥68,382.5400 |
申请更低价? 请联系客服
