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数据手册 | MG12200D-BN2MM 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | IGBT 模块 |
产品 | IGBT Silicon Modules |
封装 | Bulk |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | Package D |
配置 | Dual |
Pd-功率耗散 | 1400 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
在25 C的连续集电极电流 | 300 A |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存:59,605
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥763.6890
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥763.6890 | ¥763.6890 |
5+ | ¥739.4593 | ¥3,697.2965 |
10+ | ¥713.8106 | ¥7,138.1060 |
25+ | ¥688.8405 | ¥17,221.0125 |
50+ | ¥663.8617 | ¥33,193.0850 |
100+ | ¥638.9533 | ¥63,895.3300 |
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